牛津儀器 等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng)（PECVD）PlasmaPro 800
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簡介：PlasmaPro 800為大批量和300毫米晶圓的等離子增強化學氣相沉積（PECVD）工藝提供了一種靈活的解決方案，占地面積小，開放式裝載系統(tǒng)。大型的晶圓壓盤允許生產(chǎn)規(guī)模的批量加工和300毫米晶圓處理。PlasmaPro 800具有460...
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- 產(chǎn)品介紹
PlasmaPro 800為大批量和300毫米晶圓的等離子增強化學氣相沉積（PECVD）工藝提供了一種靈活的解決方案，占地面積小，開放式裝載系統(tǒng)。大型的晶圓壓盤允許生產(chǎn)規(guī)模的批量加工和300毫米晶圓處理。PlasmaPro 800具有460mm直徑的工作臺，擁有處理整片的300mm晶圓或大批量43 x 50mm（2”）晶圓的能力， 可提供全套量產(chǎn)解決方案。PlasmaPro 800是公認的市場前列產(chǎn)品。
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高性能工藝
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準確的襯底溫度控制
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準確的工藝控制
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成熟的300mm單晶圓失效分析工藝
特征
為化合物半導體、光電子和光子學應用提供了更為靈活的工藝，PlasmaPro 800 可提供：
大型電極 - 低成本
刻蝕終點監(jiān)測 - 可靠性和可維護性俱佳
通過激光干涉儀與/或發(fā)射光譜進行終點監(jiān)測 - 增強刻蝕控制
可選擇帶有4-、8-或12-條氣路的氣柜 - 可提供靈活的工藝和工藝氣體，可以與主機分離，放置在遠端服務區(qū)
近距離耦合渦輪泵 - 提供優(yōu)越的泵送速度加快氣體的流動速度
數(shù)據(jù)記錄 - 追溯腔室的歷史狀態(tài)以及工藝條件
液體冷卻和/或電加熱電極 - 出色的電極溫度控制和穩(wěn)定性
應用
- 使用我們的具有特殊配置的失效分析設備進行干法刻蝕解剖工藝 —— 具有RIE和 PE兩種模式
- RIE／PE工藝涵蓋了從封裝好的芯片和裸芯片刻蝕到整片300mm晶圓刻蝕
- 高質(zhì)量沉積的PECVD SiNx和SiO2 ，適用于光子學、介電層鈍化和諸多其它領域
- SiO2，SiNx和石英刻蝕
- 金屬和聚酰亞胺有機物刻蝕
- 用于高亮度LED生產(chǎn)的鈍化沉積
- III-V族刻蝕工藝
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